High resolution resonant photoluminescence excitation of CdSe/ZnS nanocrystals at low temperatures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006

High resolution resonant photoluminescence excitation of CdSe/ZnS nanocrystals at low temperatures

Résumé

We present a new technique to perform high resolution resonant photoluminescence excitation of CdSe/ZnS nanocrystals. The method takes advantage of the long photoluminescence decay times (~ 1 Μs) observed in this system at liquid helium temperatures. Resonant photoluminescence excitation can be performed using a tunable pulsed excitation and a time-gated detection. Spectral hole burning investigations on an ensemble of CdSe/ZnS nanocrystals lead to homogeneous linewidths of ~100 µeV for the band edge exciton state.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-00144124 , version 1 (30-04-2007)

Identifiants

Citer

Olivier Labeau, Philippe Tamarat, Brahim Lounis. High resolution resonant photoluminescence excitation of CdSe/ZnS nanocrystals at low temperatures. Applied Physics Letters, 2006, 88, pp.223110. ⟨10.1063/1.2208962⟩. ⟨hal-00144124⟩

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