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Critères : Author : "dominique,tournier", Publication year >= "2009" to "*", Publication type : "('COMM_ACT')", Audience : "National"
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7.
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- Philippe Cussac, Cyrille Duchesne, Jean-Baptiste Fonder, Dominique Tournier, Pierre Brosselard, et al.. FilSiC – De l'épitaxie au module de puissance. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361598⟩
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- Lumei Wei, Marie-Laure Locatelli, Bertrand Vergne, Pierre Bidan, Sorin Dinculescu, et al.. Mécanismes de claquage de diodes bipolaires en SiC - Impact du milieu isolant en surface. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361631⟩
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- Tanguy Phulpin, David Trémouilles, Karine Isoird, Dominique Tournier, Philippe Godignon, et al.. Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC. Journées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France. ⟨hal-01339803⟩
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- Thibaut Chailloux, Cyril Calvez, Dominique Tournier, Dominique Planson. Etude de différents transistors de puissance SiC 1.2kV des températures cryogéniques aux hautes températures. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065281⟩
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- Hassan Hamad, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, Christophe Raynaud, Dominique Tournier, et al.. Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065307⟩
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- Sigo Scharnholz, Luong Viêt Phung, Dominique Tournier, Bertrand Vergne, Ralf Hassdorf, et al.. Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumage. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065352⟩
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- Besar Asllani, Shiqin Niu, Patrick Denis, Maxime Berthou, Dominique Tournier, et al.. Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065193⟩