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Critères : Author : "Pierre,Brosselard", Publication year >= "2009" to "*", Publication type : "('COMM_ACT')", Audience : "National"
Nombre d'occurrences trouvées :
7.
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- Philippe Cussac, Cyrille Duchesne, Jean-Baptiste Fonder, Dominique Tournier, Pierre Brosselard, et al.. FilSiC – De l'épitaxie au module de puissance. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361598⟩
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- Beverley Choucoutou, Luong Viet Phung, Pierre Brosselard, Michel Mermet-Guyennet, Dominique Planson. Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361668⟩
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- Hassan Hamad, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, Christophe Raynaud, Dominique Tournier, et al.. Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065307⟩
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- Rémy Ouaida, Pierre Brosselard, Pascal Bevilacqua. Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065420⟩
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- Sigo Scharnholz, Luong Viêt Phung, Dominique Tournier, Bertrand Vergne, Ralf Hassdorf, et al.. Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumage. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065352⟩
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- Besar Asllani, Shiqin Niu, Patrick Denis, Maxime Berthou, Dominique Tournier, et al.. Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065193⟩
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- Florian Chevalier, Pierre Brosselard, D. Tournier, Bertrand Vergne, Nicolas Dheilly, et al.. Protections périphériques des composants 1200 V. 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p. ⟨hal-04560447⟩