2023
- auteur
- Rémi Dussart, R. Ettouri, J. Nos, G. Antoun, T. Tillocher, P. Lefaucheux
- titre
- Cryogenic etching of silicon compounds using a CHF 3 based plasma
- article
- Journal of Applied Physics, 2023, 133 (11), pp.113306. ⟨10.1063/5.0142056⟩
- DOI
- DOI : 10.1063/5.0142056
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-
2022
- auteur
- Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Aurélie Girard, Philippe Lefaucheux, J. Faguet, H. Kim, D. Zhang, M. Wang, K. Maekawa, Christophe Cardinaud, Rémi Dussart
- titre
- Cryogenic nanoscale etching of silicon nitride selectively to silicon by alternating SiF 4 /O 2 and Ar plasmas
- article
- Journal of Vacuum Science & Technology A, 2022, 40 (5), pp.052601. ⟨10.1116/6.0001885⟩
- DOI
- DOI : 10.1116/6.0001885
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-
- auteur
- G. Antoun, A. Girard, T. Tillocher, P. Lefaucheux, J. Faguet, K. Maekawa, C. Cardinaud, R. Dussart
- titre
- Quasi In Situ XPS on a SiO x F y Layer Deposited on Silicon by a Cryogenic Process
- article
- ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2022, 11 (1), pp.013013. ⟨10.1149/2162-8777/ac4c7d⟩
- DOI
- DOI : 10.1149/2162-8777/ac4c7d
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-
2021
- auteur
- Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa, Rémi Dussart
- titre
- Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption
- article
- Scientific Reports, 2021, 11 (1), pp.357. ⟨10.1038/s41598-020-79560-z⟩
- DOI
- DOI : 10.1038/s41598-020-79560-z
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-
- auteur
- Thomas Tillocher, Jack Nos, Gaëlle Antoun, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart
- titre
- Comparison between Bosch and STiGer Processes for Deep Silicon Etching
- article
- Micromachines, 2021, 12 (10), pp.1143. ⟨10.3390/mi12101143⟩
- DOI
- DOI : 10.3390/mi12101143
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-
2019
- auteur
- Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa
- titre
- Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma
- article
- Applied Physics Letters, 2019, 115 (15), pp.153109. ⟨10.1063/1.5119033⟩
- DOI
- DOI : 10.1063/1.5119033
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-
- auteur
- Gaelle Antoun, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Christophe Cardinaud, Aurélie Girard, Shigeru Tahara, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa
- titre
- The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon
- article
- Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩
- DOI
- DOI : 10.7567/1347-4065/ab1639
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