2023
- auteur
- Rémi Dussart, R. Ettouri, J. Nos, G. Antoun, T. Tillocher, P. Lefaucheux
- titre
- Cryogenic etching of silicon compounds using a CHF 3 based plasma
- article
- Journal of Applied Physics, 2023, 133 (11), pp.113306. ⟨10.1063/5.0142056⟩
- DOI
- DOI : 10.1063/5.0142056
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-
- auteur
- Lamiae Hamraoui, Tinghui Zhang, Angela Crespi, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart
- titre
- Atomic layer etching of gallium nitride using fluorine-based chemistry
- article
- Journal of Vacuum Science & Technology A, 2023, 41 (3), pp.032602. ⟨10.1116/6.0002452⟩
- DOI
- DOI : 10.1116/6.0002452
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-
2022
- auteur
- Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Aurélie Girard, Philippe Lefaucheux, J. Faguet, H. Kim, D. Zhang, M. Wang, K. Maekawa, Christophe Cardinaud, Rémi Dussart
- titre
- Cryogenic nanoscale etching of silicon nitride selectively to silicon by alternating SiF 4 /O 2 and Ar plasmas
- article
- Journal of Vacuum Science & Technology A, 2022, 40 (5), pp.052601. ⟨10.1116/6.0001885⟩
- DOI
- DOI : 10.1116/6.0001885
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-
- auteur
- G. Antoun, A. Girard, T. Tillocher, P. Lefaucheux, J. Faguet, K. Maekawa, C. Cardinaud, R. Dussart
- titre
- Quasi In Situ XPS on a SiO x F y Layer Deposited on Silicon by a Cryogenic Process
- article
- ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2022, 11 (1), pp.013013. ⟨10.1149/2162-8777/ac4c7d⟩
- DOI
- DOI : 10.1149/2162-8777/ac4c7d
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-
- auteur
- Rim Ettouri, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Vincent Fernandez, Neal Fairley, Christophe Cardinaud, Aurélie Girard, Rémi Dussart
- titre
- Combined analysis methods for investigating titanium and nickel surface contamination after plasma deep etching
- article
- Surface and Interface Analysis, 2022, 54 (2), pp.134-147. ⟨10.1002/sia.7030⟩
- DOI
- DOI : 10.1002/sia.7030
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-
2021
- auteur
- Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa, Rémi Dussart
- titre
- Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption
- article
- Scientific Reports, 2021, 11 (1), pp.357. ⟨10.1038/s41598-020-79560-z⟩
- DOI
- DOI : 10.1038/s41598-020-79560-z
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-
- auteur
- Thomas Tillocher, Jack Nos, Gaëlle Antoun, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart
- titre
- Comparison between Bosch and STiGer Processes for Deep Silicon Etching
- article
- Micromachines, 2021, 12 (10), pp.1143. ⟨10.3390/mi12101143⟩
- DOI
- DOI : 10.3390/mi12101143
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-
2019
- auteur
- Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa
- titre
- Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma
- article
- Applied Physics Letters, 2019, 115 (15), pp.153109. ⟨10.1063/1.5119033⟩
- DOI
- DOI : 10.1063/1.5119033
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-
- auteur
- Gaelle Antoun, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Christophe Cardinaud, Aurélie Girard, Shigeru Tahara, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa
- titre
- The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon
- article
- Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩
- DOI
- DOI : 10.7567/1347-4065/ab1639
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-
2018
- auteur
- Romain Chanson, Liping Zhang, Sergej Naumov, Yuri Mankelevich, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Rémi Dussart, Stefan de Gendt, Jean-François de Marneffe
- titre
- Damage-free plasma etching of porous organo-silicate low-k using micro-capillary condensation above −50 °C
- article
- Scientific Reports, 2018, 8, pp.1886. ⟨10.1038/s41598-018-20099-5⟩
- DOI
- DOI : 10.1038/s41598-018-20099-5
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-
- auteur
- Mukesh Kulsreshath, Alexane Vital, Philippe Lefaucheux, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Marylène Vayer, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart
- titre
- High aspect ratio etched sub-micron structures in silicon obtained by cryogenic plasma deep-etching through perforated polymer thin films
- article
- Micro and Nano Engineering, 2018, 1, pp.42-48. ⟨10.1016/j.mne.2018.10.007⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.mne.2018.10.007
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-
- auteur
- Edouard Laudrel, Thomas Tillocher, Yannick Meric, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Rémi Dussart
- titre
- The effect of SF 6 addition in a Cl 2 /Ar inductively coupled plasma for deep titanium etching
- article
- Journal of Micromechanics and Microengineering, 2018, 28 (5), ⟨10.1088/1361-6439/aaafe7⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/1361-6439/aaafe7
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-
2017
- auteur
- Marie Gabard, Mustapha Zaghrioui, David Chouteau, Virginie Grimal, Thomas Tillocher, Fouad Ghamouss, Nathalie Poirot
- titre
- Novel Method Based on Spin-Coating for the Preparation of 2D and 3D Si-Based Anodes for Lithium Ion Batteries
- article
- ChemEngineering, 2017, 1 (1), pp.5. ⟨10.3390/chemengineering1010005⟩
- DOI
- DOI : 10.3390/chemengineering1010005
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-
- auteur
- Joe Sakai, Erwann Luais, Jérôme Wolfman, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Francois Tran-Van, Fouad Ghamouss
- titre
- Cryogenic plasma-processed silicon microspikes as a high-performance anode material for lithium ion-batteries
- article
- Journal of Applied Physics, 2017, 122 (15), pp.155103. ⟨10.1063/1.4997713⟩
- DOI
- DOI : 10.1063/1.4997713
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-
- auteur
- Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Violetta Georgieva, Rémi Dussart, Erik Neyts, Annemie Bogaerts
- titre
- Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas
- article
- Plasma Processes and Polymers, 2017, 14 (9), pp.1700018. ⟨10.1002/ppap.201700018⟩
- DOI
- DOI : 10.1002/ppap.201700018
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-
- auteur
- Alexane Vital, Marylène Vayer, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel, Christophe Sinturel
- titre
- Morphology control in thin films of PS: PLA homopolymer blends by dip-coating deposition
- article
- Applied Surface Science, 2017, 393, pp.127-133. ⟨10.1016/j.apsusc.2016.09.151⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.apsusc.2016.09.151
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-
2016
- auteur
- Wassim Kafrouni, Thomas Tillocher, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson, Rémi Dussart
- titre
- Parametric study of STiGer etching process in order to reduce extended formation of scalloping defects on the sidewalls of silicon submicron trenches
- article
- Vacuum, 2016, 133, pp.90. ⟨10.1016/j.vacuum.2016.08.019⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.vacuum.2016.08.019
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-
- auteur
- Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Erik Neyts, Annemie Bogaerts
- titre
- Elucidating the effects of gas flow rate on an SF6 inductively coupled plasma and on the silicon etch rate, by a combined experimental and theoretical investigation
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49 (38), pp.385201. ⟨10.1088/0022-3727/49/38/385201⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/49/38/385201
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-
- auteur
- Liping Zhang, Jean-Francois de Marneffe, Floriane Leroy, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Kaoru Maekawa, Koichi Yatsuda, Christian Dussarrat, Andy Goodyear, Cooke Mike, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov
- titre
- Mitigation of plasma-induced damage in porous low-k dielectrics by cryogenic precursor condensation
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49 (17), pp.175203. ⟨10.1088/0022-3727/49/17/175203⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/49/17/175203
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-
2015
- auteur
- Floriane Leroy, Liping Zhang, Thomas Tillocher, Koichi Yatsuda, Kaoru Maekawa, Eichi Nishimura, Philippe Lefaucheux, Jean-Francois de Marneffe, Mikhail Baklanov, Remi Dussart
- titre
- Cryogenic etching processes applied to porous low-k materials using SF6/C4F8 plasmas
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, 48, pp.435202. ⟨10.1088/0022-3727/48/43/435202⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/48/43/435202
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-
- auteur
- Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Annemie Bogaerts
- titre
- Cryogenic etching of silicon with SF6 inductively coupled plasmas: a combined modelling and experimental study
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, 48, pp.155204. ⟨10.1088/0022-3727/48/15/155204⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/48/15/155204
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-
- auteur
- Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel
- titre
- Modification of poly(styrene) thin films and enhancement of cryogenic plasma etching resistance by ruthenium tetroxide vapor staining
- article
- Polymer, 2015, 76, pp.123-130. ⟨10.1016/j.polymer.2015.08.062⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.polymer.2015.08.062
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart
- titre
- Polymer masks for structured surface and plasma etching
- article
- Applied Surface Science, 2015, 332, pp.237. ⟨10.1016/j.apsusc.2015.01.040⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.apsusc.2015.01.040
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-
2014
- auteur
- Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel
- titre
- Plasma cryogenic etching of silicon: from the early days to today's advanced technologies
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2014, pp.123001. ⟨10.1088/0022-3727/47/12/123001⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/47/12/123001
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Remi Dussart
- titre
- Alternated process for the deep etching of titanium
- article
- Journal of Micromechanics and Microengineering, 2014, 24, pp.075021. ⟨10.1088/0960-1317/24/7/075021⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0960-1317/24/7/075021
- Accès au bibtex
-
2013
- auteur
- Nasreddine Mekkakia Maaza, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson
- titre
- A novel amorphization-etch alternating process for Si(100)
- article
- Journal of Micromechanics and Microengineering, 2013, 23, pp.045023. ⟨10.1088/0960-1317/23/4/045023⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0960-1317/23/4/045023
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Yuri Mankelevich, Jean-Francois de Marneffe, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov
- titre
- Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4
- article
- ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2 (6), pp.N131. ⟨10.1149/2.001306jss⟩
- DOI
- DOI : 10.1149/2.001306jss
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-
2012
- auteur
- Thomas Defforge, Gaël Gautier, Thomas Tillocher, Remi Dussart, François Tran-Van
- titre
- Elaboration of high aspect ratio monocrystalline silicon suspended nanobridges by low temperature alkaline treatment of dry etched trenches
- article
- Journal of Vacuum Science & Technology A, 2012, 30 (1), pp.010601. ⟨10.1116/1.3665217⟩
- DOI
- DOI : 10.1116/1.3665217
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Mukesh Kulsreshath, Laurent Schwaederlé, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Olivier Aubry, M. Woytasik, G. Schelcher, Remi Dussart
- titre
- Study of dc micro-discharge arrays made in silicon using CMOS compatible technology
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 45, pp.285202. ⟨10.1088/0022-3727/45/28/285202⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/45/28/285202
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Laurent Schwaederlé, Mukesh Kulsreshath, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart
- titre
- Breakdown study of dc silicon micro-discharge devices
- article
- Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 45, pp.065201. ⟨10.1088/0022-3727/45/6/065201⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0022-3727/45/6/065201
- Accès au texte intégral et bibtex
-
- auteur
- Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Yuri Mankelevich, Jean-Francois de Marneffe, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov
- titre
- Damage Free Cryogenic Etching of a Porous Organosilica Ultralow-k Film
- article
- Electrochemical and Solid-State Letters, 2012, 2 (2), pp.N5. ⟨10.1149/2.007302ssl⟩
- DOI
- DOI : 10.1149/2.007302ssl
- Accès au bibtex
-
2011
- auteur
- Thomas Defforge, Xi Song, Gaël Gautier, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Sébastien Kouassi, François Tran-Van
- titre
- Scalloping removal on DRIE via using low concentrated alkaline solutions at low temperature
- article
- Sensors and Actuators A: Physical , 2011, 170 (1-2), pp.114. ⟨10.1016/j.sna.2011.05.028⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.sna.2011.05.028
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Thomas Tillocher, Wassim Kafrouni, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson, Remi Dussart
- titre
- Optimization of submicron deep trench profiles with the STiGer cryoetching process: reduction of defects
- article
- Journal of Micromechanics and Microengineering, 2011, 21, pp.085005. ⟨10.1088/0960-1317/21/8/085005⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0960-1317/21/8/085005
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-
2010
- auteur
- Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, P Lefaucheux, Thierry Dufour, M Kulsreshath, Monali Mandra, Thomas Tillocher, O Aubry, S Dozias, P Ranson, M Goeckner
- titre
- Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium
- article
- The European Physical Journal D : Atomic, molecular, optical and plasma physics, 2010, 60, pp.601-608. ⟨10.1140/epjd/e2010-00272-7⟩
- DOI
- DOI : 10.1140/epjd/e2010-00272-7
- Accès au texte intégral et bibtex
-
- auteur
- Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Thierry Dufour, Mukesh Kulsreshath, Monali Mandra, Thomas Tillocher, Olivier Aubry, Sébastien Dozias, Pierre Ranson, Jeong Bong Lee, Matthew Goeckner
- titre
- Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium
- article
- The European Physical Journal D : Atomic, molecular, optical and plasma physics, 2010, 60, pp.601. ⟨10.1140/epjd/e2010-00272-7⟩
- DOI
- DOI : 10.1140/epjd/e2010-00272-7
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-
2009
- auteur
- Georges Frangieh, Marie-Amandine Pinault-Thaury, Julien Barjon, Thomas Tillocher, François Jomard, Jacques Chevallier
- titre
- Phosphorus incorporation and activity in (100)-oriented homoepitaxial diamond layers
- article
- physica status solidi (a), 2009, Special Issue : Hasselt Diamond Workshop 2009 - SBDD XIV, 206 (9), pp.2000-2003. ⟨10.1002/pssa.200982223⟩
- DOI
- DOI : 10.1002/pssa.200982223
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-
2008
- auteur
- Corinne Y. Duluard, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Laurianne E. Pichon, Philippe Lefaucheux, Michel Puech, Pierre Ranson
- titre
- SO2 passivating chemistry for silicon cryogenic deep etching
- article
- Plasma Sources Science and Technology, 2008, 17, pp.045008. ⟨10.1088/0963-0252/17/4/045008⟩
- DOI
- DOI : 10.1088/0963-0252/17/4/045008
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-
- auteur
- Thomas Tillocher, Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, Xavier Mellhaoui, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson
- titre
- Two Cryogenic Processes Involving SF6, O2, and SiF4 for Silicon Deep Etching
- article
- Journal of The Electrochemical Society, 2008, 155 (3), pp.D187. ⟨10.1149/1.2826280⟩
- DOI
- DOI : 10.1149/1.2826280
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-
2007
- auteur
- Remi Dussart, Xavier Mellhaoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson
- titre
- The passivation layer formation in the cryo-etching plasma process
- article
- Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.1128. ⟨10.1016/j.mee.2007.01.048⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.mee.2007.01.048
- Accès au bibtex
-
- auteur
- Thomas Tillocher, Remi Dussart, Xavier Mellhaoui, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson
- titre
- Silicon cryo-etching of deep holes
- article
- Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.1120. ⟨10.1016/j.mee.2007.01.148⟩
- DOI
- DOI : 10.1016/j.mee.2007.01.148
- Accès au bibtex
-
2006
- auteur
- Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Xavier Mellhaoui, Remi Dussart, Pierre Ranson, Mohamed Boufnichel, Lawrence J. Overzet
- titre
- Oxidation threshold in silicon etching at cryogenic temperatures
- article
- Journal of Vacuum Science & Technology A, 2006, 24 (4), pp.1073. ⟨10.1116/1.2210946⟩
- DOI
- DOI : 10.1116/1.2210946
- Accès au texte intégral et bibtex
-