2019

auteur

Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa

titre

Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma

article

Applied Physics Letters, 2019, 115 (15), pp.153109. ⟨10.1063/1.5119033⟩

DOI

DOI : 10.1063/1.5119033

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auteur

Gaelle Antoun, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Christophe Cardinaud, Aurélie Girard, Shigeru Tahara, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa

titre

The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon

article

Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩

DOI

DOI : 10.7567/1347-4065/ab1639

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2018

auteur

Romain Chanson, Liping Zhang, Sergej Naumov, Yuri Mankelevich, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Rémi Dussart, Stefan de Gendt, Jean-François de Marneffe

titre

Damage-free plasma etching of porous organo-silicate low-k using micro-capillary condensation above −50 °C

article

Scientific Reports, 2018, 8, pp.1886. ⟨10.1038/s41598-018-20099-5⟩

DOI

DOI : 10.1038/s41598-018-20099-5

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auteur

Mukesh Kulsreshath, Alexane Vital, Philippe Lefaucheux, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Marylène Vayer, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart

titre

High aspect ratio etched sub-micron structures in silicon obtained by cryogenic plasma deep-etching through perforated polymer thin films

article

Micro and Nano Engineering, 2018, 1, pp.42-48. ⟨10.1016/j.mne.2018.10.007⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.mne.2018.10.007

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auteur

Edouard Laudrel, Thomas Tillocher, Yannick Meric, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Rémi Dussart

titre

The effect of SF 6 addition in a Cl 2 /Ar inductively coupled plasma for deep titanium etching

article

Journal of Micromechanics and Microengineering, 2018, 28 (5), ⟨10.1088/1361-6439/aaafe7⟩

DOI

DOI : 10.1088/1361-6439/aaafe7

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2017

auteur

Marie Gabard, Mustapha Zaghrioui, David Chouteau, Virginie Grimal, Thomas Tillocher, Fouad Ghamouss, Nathalie Poirot

titre

Novel Method Based on Spin-Coating for the Preparation of 2D and 3D Si-Based Anodes for Lithium Ion Batteries

article

ChemEngineering, 2017, 1 (1), pp.5. ⟨10.3390/chemengineering1010005⟩

DOI

DOI : 10.3390/chemengineering1010005

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auteur

Joe Sakai, Erwann Luais, Jérôme Wolfman, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Francois Tran-Van, Fouad Ghamouss

titre

Cryogenic plasma-processed silicon microspikes as a high-performance anode material for lithium ion-batteries

article

Journal of Applied Physics, 2017, 122 (15), pp.155103. ⟨10.1063/1.4997713⟩

DOI

DOI : 10.1063/1.4997713

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auteur

Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Violetta Georgieva, Rémi Dussart, Erik Neyts, Annemie Bogaerts

titre

Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas

article

Plasma Processes and Polymers, 2017, 14 (9), pp.1700018. ⟨10.1002/ppap.201700018⟩

DOI

DOI : 10.1002/ppap.201700018

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auteur

Alexane Vital, Marylène Vayer, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel, Christophe Sinturel

titre

Morphology control in thin films of PS: PLA homopolymer blends by dip-coating deposition

article

Applied Surface Science, 2017, 393, pp.127-133. ⟨10.1016/j.apsusc.2016.09.151⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.apsusc.2016.09.151

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2016

auteur

Wassim Kafrouni, Thomas Tillocher, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson, Rémi Dussart

titre

Parametric study of STiGer etching process in order to reduce extended formation of scalloping defects on the sidewalls of silicon submicron trenches

article

Vacuum, 2016, 133, pp.90. ⟨10.1016/j.vacuum.2016.08.019⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.vacuum.2016.08.019

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auteur

Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Erik Neyts, Annemie Bogaerts

titre

Elucidating the effects of gas flow rate on an SF6 inductively coupled plasma and on the silicon etch rate, by a combined experimental and theoretical investigation

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49 (38), pp.385201. ⟨10.1088/0022-3727/49/38/385201⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/49/38/385201

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auteur

Liping Zhang, Jean-Francois de Marneffe, Floriane Leroy, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Kaoru Maekawa, Koichi Yatsuda, Christian Dussarrat, Andy Goodyear, Cooke Mike, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov

titre

Mitigation of plasma-induced damage in porous low-k dielectrics by cryogenic precursor condensation

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49 (17), pp.175203. ⟨10.1088/0022-3727/49/17/175203⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/49/17/175203

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2015

auteur

Floriane Leroy, Liping Zhang, Thomas Tillocher, Koichi Yatsuda, Kaoru Maekawa, Eichi Nishimura, Philippe Lefaucheux, Jean-Francois de Marneffe, Mikhail Baklanov, Remi Dussart

titre

Cryogenic etching processes applied to porous low-k materials using SF6/C4F8 plasmas

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, 48, pp.435202. ⟨10.1088/0022-3727/48/43/435202⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/48/43/435202

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auteur

Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Annemie Bogaerts

titre

Cryogenic etching of silicon with SF6 inductively coupled plasmas: a combined modelling and experimental study

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, 48, pp.155204. ⟨10.1088/0022-3727/48/15/155204⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/48/15/155204

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auteur

Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel

titre

Modification of poly(styrene) thin films and enhancement of cryogenic plasma etching resistance by ruthenium tetroxide vapor staining

article

Polymer, 2015, 76, pp.123-130. ⟨10.1016/j.polymer.2015.08.062⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.polymer.2015.08.062

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auteur

Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart

titre

Polymer masks for structured surface and plasma etching

article

Applied Surface Science, 2015, 332, pp.237. ⟨10.1016/j.apsusc.2015.01.040⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.apsusc.2015.01.040

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2014

auteur

Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel

titre

Plasma cryogenic etching of silicon: from the early days to today's advanced technologies

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2014, pp.123001. ⟨10.1088/0022-3727/47/12/123001⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/47/12/123001

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auteur

Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Remi Dussart

titre

Alternated process for the deep etching of titanium

article

Journal of Micromechanics and Microengineering, 2014, 24, pp.075021. ⟨10.1088/0960-1317/24/7/075021⟩

DOI

DOI : 10.1088/0960-1317/24/7/075021

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2013

auteur

Nasreddine Mekkakia Maaza, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson

titre

A novel amorphization-etch alternating process for Si(100)

article

Journal of Micromechanics and Microengineering, 2013, 23, pp.045023. ⟨10.1088/0960-1317/23/4/045023⟩

DOI

DOI : 10.1088/0960-1317/23/4/045023

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auteur

Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Yuri Mankelevich, Jean-Francois de Marneffe, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov

titre

Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4

article

ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2 (6), pp.N131. ⟨10.1149/2.001306jss⟩

DOI

DOI : 10.1149/2.001306jss

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2012

auteur

Thomas Defforge, Gaël Gautier, Thomas Tillocher, Remi Dussart, François Tran-Van

titre

Elaboration of high aspect ratio monocrystalline silicon suspended nanobridges by low temperature alkaline treatment of dry etched trenches

article

Journal of Vacuum Science & Technology A, 2012, 30 (1), pp.010601. ⟨10.1116/1.3665217⟩

DOI

DOI : 10.1116/1.3665217

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auteur

Mukesh Kulsreshath, Laurent Schwaederlé, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Olivier Aubry, M. Woytasik, G. Schelcher, Remi Dussart

titre

Study of dc micro-discharge arrays made in silicon using CMOS compatible technology

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 45, pp.285202. ⟨10.1088/0022-3727/45/28/285202⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/45/28/285202

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auteur

Laurent Schwaederlé, Mukesh Kulsreshath, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart

titre

Breakdown study of dc silicon micro-discharge devices

article

Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 45, pp.065201. ⟨10.1088/0022-3727/45/6/065201⟩

DOI

DOI : 10.1088/0022-3727/45/6/065201

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auteur

Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Yuri Mankelevich, Jean-Francois de Marneffe, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov

titre

Damage Free Cryogenic Etching of a Porous Organosilica Ultralow-k Film

article

Electrochemical and Solid-State Letters, 2012, 2 (2), pp.N5. ⟨10.1149/2.007302ssl⟩

DOI

DOI : 10.1149/2.007302ssl

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2011

auteur

Thomas Defforge, Xi Song, Gaël Gautier, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Sébastien Kouassi, François Tran-Van

titre

Scalloping removal on DRIE via using low concentrated alkaline solutions at low temperature

article

Sensors and Actuators A: Physical , 2011, 170 (1-2), pp.114. ⟨10.1016/j.sna.2011.05.028⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.sna.2011.05.028

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auteur

Thomas Tillocher, Wassim Kafrouni, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson, Remi Dussart

titre

Optimization of submicron deep trench profiles with the STiGer cryoetching process: reduction of defects

article

Journal of Micromechanics and Microengineering, 2011, 21, pp.085005. ⟨10.1088/0960-1317/21/8/085005⟩

DOI

DOI : 10.1088/0960-1317/21/8/085005

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2010

auteur

Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, P Lefaucheux, Thierry Dufour, M Kulsreshath, Monali Mandra, Thomas Tillocher, O Aubry, S Dozias, P Ranson, M Goeckner

titre

Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium

article

The European Physical Journal D : Atomic, molecular, optical and plasma physics, 2010, 60, pp.601-608. ⟨10.1140/epjd/e2010-00272-7⟩

DOI

DOI : 10.1140/epjd/e2010-00272-7

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auteur

Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Thierry Dufour, Mukesh Kulsreshath, Monali Mandra, Thomas Tillocher, Olivier Aubry, Sébastien Dozias, Pierre Ranson, Jeong Bong Lee, Matthew Goeckner

titre

Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium

article

The European Physical Journal D : Atomic, molecular, optical and plasma physics, 2010, 60, pp.601. ⟨10.1140/epjd/e2010-00272-7⟩

DOI

DOI : 10.1140/epjd/e2010-00272-7

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2009

auteur

Georges Frangieh, Marie-Amandine Pinault-Thaury, Julien Barjon, Thomas Tillocher, François Jomard, Jacques Chevallier

titre

Phosphorus incorporation and activity in (100)-oriented homoepitaxial diamond layers

article

physica status solidi (a), 2009, Special Issue : Hasselt Diamond Workshop 2009 - SBDD XIV, 206 (9), pp.2000-2003. ⟨10.1002/pssa.200982223⟩

DOI

DOI : 10.1002/pssa.200982223

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2008

auteur

Corinne Y. Duluard, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Laurianne E. Pichon, Philippe Lefaucheux, Michel Puech, Pierre Ranson

titre

SO2 passivating chemistry for silicon cryogenic deep etching

article

Plasma Sources Science and Technology, 2008, 17, pp.045008. ⟨10.1088/0963-0252/17/4/045008⟩

DOI

DOI : 10.1088/0963-0252/17/4/045008

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auteur

Thomas Tillocher, Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, Xavier Mellhaoui, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson

titre

Two Cryogenic Processes Involving SF6, O2, and SiF4 for Silicon Deep Etching

article

Journal of The Electrochemical Society, 2008, 155 (3), pp.D187. ⟨10.1149/1.2826280⟩

DOI

DOI : 10.1149/1.2826280

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2007

auteur

Remi Dussart, Xavier Mellhaoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson

titre

The passivation layer formation in the cryo-etching plasma process

article

Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.1128. ⟨10.1016/j.mee.2007.01.048⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.mee.2007.01.048

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auteur

Thomas Tillocher, Remi Dussart, Xavier Mellhaoui, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson

titre

Silicon cryo-etching of deep holes

article

Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.1120. ⟨10.1016/j.mee.2007.01.148⟩

DOI

DOI : 10.1016/j.mee.2007.01.148

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2006

auteur

Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Xavier Mellhaoui, Remi Dussart, Pierre Ranson, Mohamed Boufnichel, Lawrence J. Overzet

titre

Oxidation threshold in silicon etching at cryogenic temperatures

article

Journal of Vacuum Science & Technology A, 2006, 24 (4), pp.1073. ⟨10.1116/1.2210946⟩

DOI

DOI : 10.1116/1.2210946

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