Low frequency noise in double heterostructure P-InAsSbP/n-InAs mid-IR photodiodes at cryogenic temperature: Photovoltaic mode and forward bias - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Infrared Physics and Technology Année : 2020

Low frequency noise in double heterostructure P-InAsSbP/n-InAs mid-IR photodiodes at cryogenic temperature: Photovoltaic mode and forward bias

S.A. Karandashev
  • Fonction : Auteur
M.E. Levinshtein
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B.A. Matveev
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M.A. Remennyi
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hal-03151345 , version 1 (17-10-2022)

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N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev, M.A. Remennyi. Low frequency noise in double heterostructure P-InAsSbP/n-InAs mid-IR photodiodes at cryogenic temperature: Photovoltaic mode and forward bias. Infrared Physics and Technology, 2020, 111, pp.103460. ⟨10.1016/j.infrared.2020.103460⟩. ⟨hal-03151345⟩
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