Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2020
Nina Diakonova : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03151302
Soumis le : mercredi 24 février 2021-16:24:02
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:20
Citer
N Dyakonova, S Karandashev, M Levinshtein, B Matveev, M Remennyi. Low frequency noise in reverse biased double heterostructure P- InAsSbP /n- InAs infrared photodiodes. Semiconductor Science and Technology, 2020, 35 (7), pp.075010. ⟨10.1088/1361-6641/ab8756⟩. ⟨hal-03151302⟩
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