Non-destructive approaches to interdiffusion phenomena across GaInAs/GaInAsP interfaces: photoluminescence vs. Raman - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1993

Non-destructive approaches to interdiffusion phenomena across GaInAs/GaInAsP interfaces: photoluminescence vs. Raman

H. Peyre
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Charles Coulomb
F. Alsina
  • Fonction : Auteur
ICN2 - Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia
S. Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860710
Laboratoire Charles Coulomb
E. Massone
  • Fonction : Auteur
MARine Biodiversity Exploitation and Conservation
J. Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860707
J. Pascual
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherches sur les lois Fondamentales de l'Univers
R.W. Glew
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-02042639

Soumis le : mercredi 20 février 2019-15:00:07

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:08:06

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Dates et versions

hal-02042639 , version 1 (20-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02042639 , version 1

Citer

H. Peyre, F. Alsina, S. Juillaguet, E. Massone, J. Camassel, et al.. Non-destructive approaches to interdiffusion phenomena across GaInAs/GaInAsP interfaces: photoluminescence vs. Raman. EXMATEC'92, May 1993, Lyon, France. pp.73-76. ⟨hal-02042639⟩

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