Temperature-dependent Landau level spectroscopy of HgCdTe and InAs/GaSb topological materials - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Temperature-dependent Landau level spectroscopy of HgCdTe and InAs/GaSb topological materials

Résumé

...
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01936879 , version 1 (27-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01936879 , version 1

Citer

Frederic Teppe. Temperature-dependent Landau level spectroscopy of HgCdTe and InAs/GaSb topological materials. 47th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2018", Jun 2018, Szczyrk, Poland. ⟨hal-01936879⟩
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