Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers
Résumé
Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers
Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Sandrine Juillaguet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01935164
Soumis le : lundi 26 novembre 2018-15:01:02
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01935164 , version 1
- DOI : 10.1088/1742-6596/864/1/012021
Citer
M. Jayasakthi, Sandrine Juillaguet, Herve Peyre, Leszek Konczewicz, Matthieu Moret, et al.. Optical investigations and strain effect in AlGaN/GaN epitaxial layers. 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 2017, PEKIN, China. pp.UNSP 012021, ⟨10.1088/1742-6596/864/1/012021⟩. ⟨hal-01935164⟩
Collections
26
Consultations
0
Téléchargements