New GaN and silicon juncionless field effect transistor THz detectors
Résumé
New GaN and silicon juncionless field effect transistor THz detectors
Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
L2c Aigle : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01926556
Soumis le : lundi 19 novembre 2018-12:37:05
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01926556 , version 1
Citer
Wojciech Knap. New GaN and silicon juncionless field effect transistor THz detectors. The 9th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics, Sep 2018, Chisinau, Moldova. ⟨hal-01926556⟩
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