Observation of topological phase transition by terahertz photoconductivity in HgTe-based transistors - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Observation of topological phase transition by terahertz photoconductivity in HgTe-based transistors

Aleksandr Kadykov
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 973487
Christophe Consejo
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 995043
L. Viti
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M. S. Vitiello
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Sandra Ruffenach
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  • PersonId : 995042
S. V. Morozov
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Wilfried Desrat
Nina Diakonova
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  • PersonId : 996377
Wojciech Knap
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  • PersonId : 1011541
V. I. Gavrilenko
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N. N. Mikhailov
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S. A. Dvoretsky
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Frederic Teppe

Résumé

We have found the possibility to probe the magnetic field-driven topological phase transition in HgTe-based transistors by measuring their Terahertz photoconductivity response. At the critical magnetic field to which zero-mode Landau levels cross, we have observed a pronounced photoconductivity peak independent on incident frequency and carrier concentration. Our results pave the way towards terahertz topological field effect transistors.

Dates et versions

hal-01417831 , version 1 (16-12-2016)

Identifiants

Citer

Aleksandr Kadykov, Christophe Consejo, M. Marcinkiewicz, L. Viti, M. S. Vitiello, et al.. Observation of topological phase transition by terahertz photoconductivity in HgTe-based transistors. 17th International Conference on II-VI Compounds, 2016, Paris, France. pp.534-537, ⟨10.1002/pssc.201510264⟩. ⟨hal-01417831⟩
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