Terahertz Imaging with GaAs and GaN Plasma Field Effect Transistors Detectors - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Terahertz Imaging with GaAs and GaN Plasma Field Effect Transistors Detectors

Wojciech Knap
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1011541
Dmytro B. But
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Nina Diakonova
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  • PersonId : 996377
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 995041
Frederic Teppe
Jaroslaw Suszek
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Agnieszka M. Siemion
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Maciej Sypek
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Krzesimir Szkudlarek
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Grzegorz Cywinski
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Ivan Yahniuk
  • Fonction : Auteur

Résumé

An overview of recent results concerning THz detection related to plasma nonlinearities in nanometer field effect transistors is presented. In particular, the research on the dynamic range of these detectors is described and two different technologies GaAs and GaN are compared. As a conclusion, we will show first real world applications of the plasma field effect transistors based THz detectors: demonstrators of the imagers (cameras and linear scanners) developed for fast postal security and for nondestructive industrial quality control.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01380958 , version 1 (13-10-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01380958 , version 1

Citer

Wojciech Knap, Dmytro B. But, Nina Diakonova, Dominique Coquillat, Frederic Teppe, et al.. Terahertz Imaging with GaAs and GaN Plasma Field Effect Transistors Detectors. PROCEEDINGS OF THE 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2016, Lodz, Poland. pp.74-77. ⟨hal-01380958⟩
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