MBE growth and characterization of InGaN-based films and nanocolumns on Silicon substrates and GaN templates. - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

MBE growth and characterization of InGaN-based films and nanocolumns on Silicon substrates and GaN templates.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Pierre Lefebvre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01306674

Soumis le : lundi 25 avril 2016-12:01:24

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02

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Dates et versions

hal-01306674 , version 1 (25-04-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01306674 , version 1

Citer

Miguel A. Sanchez-Garcia, Steven Albert, Ana Bengoechea-Encabo, Pierre Lefebvre, E. Calleja, et al.. MBE growth and characterization of InGaN-based films and nanocolumns on Silicon substrates and GaN templates.. 2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontiers in Photonic and Electronic Materials and Devices, Elias Muñoz, Mar 2011, Grenade, Spain. ⟨hal-01306674⟩

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