Terahertz excitations in HgTe-based field effect transistors - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Terahertz excitations in HgTe-based field effect transistors

Aleksandr Kadykov
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Christophe Consejo
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Frederic Teppe
Wilfried Desrat
L. Viti
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M. S. Vitiello
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Dominique Coquillat
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Sandra Ruffenach
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S. Morozov
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Sergey S. Krishtopenko
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M. Marcinkiewicz
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Nina Diakonova
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Wojciech Knap
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V. Gavrilenko
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N. N. Michailov
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S. A. Dvoretskii
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Résumé

We report on Terahertz detection by inverted band structure HgTe-based Field Effect Transistor. Photoconductivity measurements allow for the observation of cyclotron resonance and Shubnikov-de-Haas-like oscillations. However, an unexpected peak was observed at the critical magnetic field value for which zero mode Landau Levels are crossing. Therefore, this specific feature of TeraHertz photoconductivity spectra can tentatively attributed to this magnetic field driven topological phase transition.

Dates et versions

hal-01249955 , version 1 (04-01-2016)

Identifiants

Citer

Aleksandr Kadykov, Christophe Consejo, Frederic Teppe, Wilfried Desrat, L. Viti, et al.. Terahertz excitations in HgTe-based field effect transistors. 19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19), 2015, Salamanca, Spain. pp.UNSP 012009, ⟨10.1088/1742-6596/647/1/012009⟩. ⟨hal-01249955⟩
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