Nanotransistor based THz plasma detectors: low temperatures, graphene, linearity, and circular polarization studies - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Nanotransistor based THz plasma detectors: low temperatures, graphene, linearity, and circular polarization studies

Wojciech Knap
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  • PersonId : 1011541
Dmytro But
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Nina Diakonova
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Dominique Coquillat
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M. S. Vitiello
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Abdel El Fatimy
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Frederic Teppe
A. Tredicucci
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T. Nagatsuma
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S. Ganichev
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Résumé

Nanometer size field effect transistors can operate as efficient resonant or broadband terahertz detectors, mixers, phase shifters and frequency multipliers at frequencies far beyond their fundamental cut-of frequency. This work is an overview of some recent results concerning the low temperatures operation, linearity, and circular polarization studies of nanometer scale field effect transistors for the detection of terahertz radiation. Also first results on graphene transistors are discussed. © (2013) COPYRIGHT Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE). Downloading of the abstract is permitted for personal use only.
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Dates et versions

hal-00954519 , version 1 (03-03-2014)

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Citer

Wojciech Knap, Dmytro But, Nina Diakonova, Dominique Coquillat, M. S. Vitiello, et al.. Nanotransistor based THz plasma detectors: low temperatures, graphene, linearity, and circular polarization studies. SPIE Optical Engineering + Applications,, 2013, San Diego, United States. pp.88460M, ⟨10.1117/12.2024206⟩. ⟨hal-00954519⟩
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