Nanometer size field effect transistors for terahertz detectors - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2013

Nanometer size field effect transistors for terahertz detectors

Wojciech Knap
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  • PersonId : 1011541
S. Rumyantsev
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M. S. Vitiello
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Dominique Coquillat
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Nina Diakonova
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M. Shur
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Frederic Teppe
A. Tredicucci
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T. Nagatsuma
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Résumé

Nanometer size field effect transistors can operate as efficient resonant or broadband terahertz detectors, mixers, phase shifters and frequency multipliers at frequencies far beyond their fundamental cut-off frequency. This work is an overview of some recent results concerning the application of nanometer scale field effect transistors for the detection of terahertz radiation.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00843001 , version 1 (10-07-2013)

Identifiants

Citer

Wojciech Knap, S. Rumyantsev, M. S. Vitiello, Dominique Coquillat, Stéphane Blin, et al.. Nanometer size field effect transistors for terahertz detectors. Nanotechnology, 2013, 24 (21), pp.214002. ⟨10.1088/0957-4484/24/21/214002⟩. ⟨hal-00843001⟩
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