Analyseur de polarisation TéraHertz à base de transistors à effet de champs

Wojciech Knap (1) , Frederic Teppe (1) , Nina Diakonova (1) , Michel Dyakonov (1) , Oleg Klimenko (2) , S. Ganichev , C. Drexler (3)

1 L2C - Laboratoire Charles Coulomb
2 GES - Groupe d'étude des semiconducteurs
3 UR - Universität Regensburg

L'invention concerne un dispositif (1) de mesure de l'état de polarisation d'une onde incidente de fréquence de 10 GHz à 30 THz , comportant un transistor à effet de champ (2), une antenne (3) de réception. Suivant l'invention, les parties (31, 33) d'antenne détectent une composante de polarisation de l'onde, colinéaire à une direction (X) provoquant dans le transistor (2) une tension alternative (Us) de détection, les parties (32, 33) détectent une composante de polarisation de l'onde, colinéaire à une direction (Y) provoquant l'apparition dans le transistor (2) d'une tension alternative (Ud) de détection, le transistor (2) étant agencé pour générer, comme signal électrique (ΔU) de détection entre la borne (21) de source et la borne (22) de drain, une tension continue (ΔU) de détection dont une partie est déterminée par l'état de polarisation elliptique de l'onde par interférence dans le transistor (2) entre les tensions alternatives (Us, Ud).

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Wojciech Knap, Frederic Teppe, Nina Diakonova, Michel Dyakonov, Oleg Klimenko, et al.. Analyseur de polarisation TéraHertz à base de transistors à effet de champs. France, Patent n° : EP2012074375. L2C:12-354. 2012. ⟨hal-00811809⟩