Teraherz Emitters based on GaN Field Effect Transistors
Résumé
Teraherz Emitters based on GaN Field Effect Transistors
Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00811547
Soumis le : mercredi 10 avril 2013-15:30:04
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00811547 , version 1
Citer
Wojciech Knap. Teraherz Emitters based on GaN Field Effect Transistors. International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Jun 2011, Poland. ⟨hal-00811547⟩
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