Exciton binding energy in chalcopyrite semiconductors - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2012

Exciton binding energy in chalcopyrite semiconductors

Bernard Gil
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860800
Didier Felbacq
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 865133
Shigefusa Chichibu
  • Fonction : Auteur

Résumé

we calculate the exciton binding energy in several Copper-based I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00686769 , version 1 (11-04-2012)

Identifiants

Citer

Bernard Gil, Didier Felbacq, Shigefusa Chichibu. Exciton binding energy in chalcopyrite semiconductors. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2012, 85, pp.075205. ⟨10.1103/PhysRevB.85.075205⟩. ⟨hal-00686769⟩
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